近日，全國兩會(huì)落下帷幕，第三代半導(dǎo)體成為了兩會(huì)的關(guān)鍵詞之一。

3月12日，新華社發(fā)布《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》。綱要中集成電路領(lǐng)域稱要取得碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展。

兩會(huì)期間，全國政協(xié)委員王文銀在采訪中稱，伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向5G基站、特高壓、城際高鐵交通、新能源充電樁等關(guān)鍵領(lǐng)域延伸，我國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展風(fēng)口已至。

第三代半導(dǎo)體是國家2030規(guī)劃和“十四五”國家研發(fā)計(jì)劃確定的重要發(fā)展方向，被視作我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機(jī)會(huì)。要采取果斷措施，推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落地。

不久前，TrendForce集邦咨詢發(fā)布了2018-2022年SiC及GaN功率組件市場規(guī)模，SiC和GaN自2020年起市場規(guī)模呈上升趨勢。TrendForce集邦咨詢預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6,100萬美元，年增30.8%及90.6%；SiC器件部分，預(yù)估2021年SiC器件于功率領(lǐng)域營收可達(dá)6.8億美元，年增32%。

對于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，各國的研究和水平差距不大，而國內(nèi)多數(shù)專家也對我國第三代半導(dǎo)體的發(fā)展持積極態(tài)度，第三代半導(dǎo)體材料或許可以成為我們擺脫集成電路被動(dòng)局面，實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)追趕和超車的良機(jī)。