近兩年LED產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長，成為各路資金追捧的對象。然而不容回避的是，我國LED產(chǎn)業(yè)的瘋狂擴(kuò)張主要聚集于襯底和芯片、封裝等產(chǎn)業(yè)鏈的低端，而高技術(shù)、高附加值的高端LED材料以及外延領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)則鮮有涉足。能否順利進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈高端成為決定國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景的關(guān)鍵性因素。

　　令LED人士倍受鼓舞的是，今年初的時候，國家就給LED行業(yè)打了一劑強(qiáng)心針——藍(lán)寶石LED材料外延及芯片技術(shù)榮獲國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎。技術(shù)創(chuàng)新才是未來LED企業(yè)競爭力的關(guān)鍵，也是LED突破產(chǎn)業(yè)瓶頸，進(jìn)行產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵。

　　我國LED產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　典型LED器件如下圖所示，通常采用外延方法在襯底材料上生長出晶體缺陷密度低的LED器件層，通過光刻、刻蝕、濺射等半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝得到一定的器件形狀和構(gòu)造，并形成良好的電接觸膜，這就是 LED芯片。對LED芯片進(jìn)行封裝，可以避免LED芯片受到外界損傷，并很好地導(dǎo)入電和導(dǎo)出發(fā)光，從而形成一個完整的LED產(chǎn)品。

　　LED結(jié)構(gòu)主要為一個PN結(jié)，需要由穩(wěn)定的P型與N型材料制成，如硅(Si)、鍺(Ge)等通過摻雜磷(P)、砷(As)、銻(Sb)，GaN，GaP，GaAs通過摻雜銦(In)等形成N型半導(dǎo)體;Si摻雜硼(B)，GaN、GaP、 GaAs等摻雜鋁(Al)等形成P型半導(dǎo)體。另外，在PN結(jié)兩邊還需要電極材料，如采用 ITO 等。

　　LED產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、芯片、封裝、應(yīng)用等環(huán)節(jié)。具體剖析開來，LED產(chǎn)品的關(guān)鍵材料集中于襯底、外延芯片以及封裝環(huán)節(jié)。

　　襯底材料

　　LED襯底材料眾多，市場上大規(guī)模商用的LED襯底材料是GaAs、藍(lán)寶石和SiC，同時Si襯底和GaN同質(zhì)襯底也成為關(guān)注熱點(diǎn)。

　　在GaAs領(lǐng)域，我國具有一定的實(shí)力，普亮紅、黃光LED中目前襯底材料基本實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化，而高亮度和超高亮度紅光LED襯底材料主要依靠進(jìn)口，與國際水平仍存在一定的差距。

　　藍(lán)寶石襯底材料以其生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量好、穩(wěn)定性高、易于處理和清洗等優(yōu)點(diǎn)，被國內(nèi)企業(yè)廣泛使用。然而，藍(lán)寶石襯底也存在一些問題，首先藍(lán)寶石襯底與GaN外延層的晶格失配和熱應(yīng)力失配較大;同時，藍(lán)寶石的導(dǎo)熱性能不是很好，會增加大功率LED器件封裝散熱成本。

　　為了提升器件的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性，出現(xiàn)了SiC和Si襯底。SiC襯底材料的導(dǎo)熱性能要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上，同時這種襯底不需要電流擴(kuò)散層，因此光不會被電流擴(kuò)散層的材料吸收，有利于提高芯片的出光效率，但其制造成本非常高，產(chǎn)品價(jià)格差不多是同尺寸藍(lán)寶石襯底的10倍。Si襯底材料質(zhì)量高、尺寸大、材料成本低、加工工藝成熟，并具備良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和熱穩(wěn)定性等，但Si與GaN之間存在巨大的晶格失配度和熱失配，同時Si對可見光吸收嚴(yán)重，LED出光效率低。

　　近兩年，我國在Si襯底上生長GaN外延技術(shù)進(jìn)展很快，尤其是在6英寸、8英寸等大尺寸Si襯底上生長GaN外延，可大幅降低LED芯片制造成本。目前看來Si襯底技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。

　　此外AlN、ZnO等材料也可作為襯底，目前還處于實(shí)驗(yàn)室研究階段。

　　我國用于制備紅、黃光LED的GaAs/AlGaInP/InP/GaP四元系襯底材料制備技術(shù)發(fā)展較為成熟，與國際水平差距較小。在GaAs襯底領(lǐng)域，中科鎵英、中科晶電、國瑞電子、上海中科嘉浦、中國電子科技集團(tuán)第46研究所等企業(yè)均已實(shí)現(xiàn)上述產(chǎn)品的量產(chǎn)，特別是中科鎵英和中科晶電憑借突出的產(chǎn)品性價(jià)比，在國內(nèi)GaAs襯底領(lǐng)域占有絕大部分市場份額。

　　我國相關(guān)企業(yè)應(yīng)用于藍(lán)、白光LED生長的藍(lán)寶石襯底、SiC襯底和GaN襯底材料的性能指標(biāo)和成品率仍然較低，材料生長專業(yè)人才也較為缺乏。但受市場和政策利好驅(qū)動，已有多家企業(yè)開始介入或宣布介入寬帶隙襯底領(lǐng)域，逐步擴(kuò)大資金投入和相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)引進(jìn)。

　　在藍(lán)寶石襯底材料領(lǐng)域，我國代表企業(yè)有元亮科技、同人電子、協(xié)鑫光電、上城科技、吉星新材料、普吉光電、水晶光電、云南藍(lán)晶、重慶四聯(lián)光電、成都東駿、貴州皓天、九江賽翡、中鎵半導(dǎo)體、哈工大奧瑞德、安徽康藍(lán)光電、青島嘉星晶電、山東天岳、山東元鴻等。

　　在SiC襯底領(lǐng)域，美國Cree幾乎壟斷了優(yōu)質(zhì)SiC襯底的全球供應(yīng)，其次是德國SiCrystal、日本新日鐵和日本東纖-道康寧公司，我國企業(yè)實(shí)力較弱。

　　外延材料

　　外延是LED器件核心環(huán)節(jié)，外延材料是由多層不同組分的材料構(gòu)成，要求單層厚度一致，化學(xué)組分分布均勻，這對外延過程控制及設(shè)備提出了非常高的要求。外延生長過程中所涉及到的溫度場、氣流控制直接影響所LED芯片中局部成分和厚度的均一性，目前最為常用的方法還是MOCVD方法。由于這一環(huán)節(jié)對資金、技術(shù)、人才有很高的要求，進(jìn)入門檻較高。

　　目前，我國與國際廠商相比，在外延材料生長技術(shù)方面和經(jīng)驗(yàn)方面，無論是大功率產(chǎn)品還是小功率產(chǎn)品在發(fā)光效率上都存在一定的差距。從材料上看，在高亮度和超高亮度產(chǎn)品中，由于AlGaInP外延技術(shù)要求較低，目前國內(nèi)從事這類外延生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量較多，產(chǎn)量較高。作為藍(lán)光LED的主要材料GaN，在巨大的照明市場潛力拉動下，其外延片產(chǎn)量不斷提高，且增速明顯高于AlGaInP外延產(chǎn)品。

　　而作為外延材料生產(chǎn)的核心MOCVD設(shè)備領(lǐng)域，目前全球主要的生產(chǎn)廠商為德國的Aixtron公司(約占60%-70%市場份額)和美國的Vecco公司(約占30%-40%市場份額)。其他MOCVD廠家主要包括日本的NIPPON Sanso和Nissin Electric等。我國MOCVD設(shè)備則基本依靠進(jìn)口。

　　截止2013年年底，中國共有約1017臺MOCVD，在生產(chǎn)與完成調(diào)試的MOCVD數(shù)量接近六成，其中85%為GaN系MOCVD。在技術(shù)和生產(chǎn)工藝方面，國內(nèi)和國外的差距較大，特別是在前景較好的四元系和GaN系方面，國內(nèi)生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備還達(dá)不到產(chǎn)業(yè)化的要求，基本上依賴進(jìn)口。

　　2012年，中科院半導(dǎo)體研究所負(fù)責(zé)研發(fā)的國內(nèi)首臺48片2英寸MOCVD工程化樣機(jī)各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到了同類國際MOCVD設(shè)備產(chǎn)品的水平，意味著一直制約我國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的MOCVD設(shè)備技術(shù)水平取得了重大突破。

　　芯片材料

　　目前國內(nèi)企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)在不同襯底(Al2O3、Si、SiC、AlN)上外延生長GaN材料，并已開發(fā)出圖形化襯底外延、非極性或半極性外延、襯底轉(zhuǎn)移、激光剝離、共晶焊接、ITO電極、表面粗化和光子晶體等產(chǎn)品和技術(shù)。

　　在提高內(nèi)量子效率和外量子效率方面，我國也取得較大進(jìn)展。目前已研發(fā)出AlGaN深紫外(260nm-400nm)發(fā)光二極管，以及1W的LED藍(lán)光芯片，白光LED的發(fā)光效率超過80lm/W，并研制出四元系A(chǔ)lGaInP紅光功率LED器件，發(fā)光效率約40lm/W。

　　然而，我國超高亮度芯片以及高亮度藍(lán)綠芯片產(chǎn)品技術(shù)仍有待進(jìn)一步提高，國內(nèi)該類芯片仍主要依靠進(jìn)口。

　　由于外延片和芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)聯(lián)系緊密，行業(yè)內(nèi)的多數(shù)企業(yè)在從事外延片生產(chǎn)的同時也進(jìn)行芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。截止到2013年年底，我國(不包括臺灣地區(qū))涉及LED外延/芯片的企業(yè)有近百家。

　　在外延/芯片環(huán)節(jié)，由于近兩年新建項(xiàng)目的陸續(xù)投產(chǎn)，區(qū)域分布呈現(xiàn)多地開花、分散發(fā)展的趨勢。其中，長三角地區(qū)企業(yè)數(shù)量超過30家，超過總數(shù)的1/3。

　　制備材料

　　LED制備材料主要指LED生產(chǎn)中需要用到的光刻膠、高純化學(xué)試劑、高純電子氣體、靶材和拋光材料。

　　我國LED領(lǐng)域光刻膠還處于產(chǎn)業(yè)化階段初期，國內(nèi)能夠大批量生產(chǎn)的光刻膠包括紫外負(fù)性光刻膠、紫外正性光刻膠(G、I線膠)和TN-STN光刻膠等。然而，高端生產(chǎn)用光刻膠還需要依賴進(jìn)口。

　　在高純化學(xué)試劑領(lǐng)域，國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)水平基本能夠滿足LED生產(chǎn)要求。

　　在高純電子氣體領(lǐng)域，國產(chǎn)的6N高純氨已大量用于LED行業(yè)，取得了一定進(jìn)展，但特種電子氣體方面整體技術(shù)水平與要求還有較大差距，高端核心技術(shù)和產(chǎn)品市場仍被國外把控。

　　在靶材領(lǐng)域，中國產(chǎn)業(yè)化技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量發(fā)展較快，基本實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代，存在突出問題是靶材主要原材料仍然依賴進(jìn)口。在拋光材料領(lǐng)域，中國基本能夠生產(chǎn)LED領(lǐng)域藍(lán)寶石用拋光液和硅、化合物半導(dǎo)體襯底材料用拋光液及水溶膠納米磨料等，但在CMP工藝用其他拋光液、拋光液用核心基礎(chǔ)原材料等還依賴進(jìn)口。

　　據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前中國從事光刻膠、高純化學(xué)試劑、高純電子氣體、靶材和拋光材料的企業(yè)有31家，主要以合資和民營企業(yè)為主，企業(yè)主要分布在長江三角洲和京津環(huán)渤海地區(qū)。國有及國有控股企業(yè)雖然數(shù)量上不及合資和民營企業(yè)，但產(chǎn)品銷售收入和從業(yè)人員處于絕對優(yōu)勢。

　　深陷產(chǎn)業(yè)鏈低端

　　從2010年到2012年這短短3年間，LED芯片產(chǎn)能擴(kuò)張超過10倍，導(dǎo)致了LED材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能嚴(yán)重過剩。2014年，受下游應(yīng)用市場帶動，大部分LED材料企業(yè)整體向好，MOCVD產(chǎn)能利用率上升至52%，開機(jī)率上升到70%左右，平均產(chǎn)能利用率較前兩年大幅度提高。

　　隨著市場的向好，以三安光電、華燦光電等為首的國內(nèi)LED領(lǐng)軍企業(yè)紛紛開啟了新一輪的擴(kuò)產(chǎn)，而且新增產(chǎn)能一舉超過了其本身的原有機(jī)臺數(shù)，未來LED材料產(chǎn)能過剩問題依然不容樂觀。LED材料產(chǎn)能過剩，加劇了企業(yè)之間的無序競爭，雖然行業(yè)市場繼續(xù)增長，整體盈利卻在下滑，價(jià)格戰(zhàn)愈演愈烈。LED芯片價(jià)格大幅度降低，有的降幅甚至達(dá)到了50%，LED材料小企業(yè)紛紛尋求并購和合作，更有甚者已經(jīng)停產(chǎn)，準(zhǔn)備退出這一領(lǐng)域。

　　同質(zhì)發(fā)展，國內(nèi)企業(yè)深陷產(chǎn)業(yè)低端

　　中國是全球最大的LED應(yīng)用市場，但在高端LED等領(lǐng)域發(fā)展相對滯后，產(chǎn)能不足，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足市場的需求，Cree、飛利浦、歐司朗、京瓷、住友電工、日亞化學(xué)等國外品牌廠商長期以來占據(jù)著國內(nèi)高端市場。另外，高端LED材料的核心技術(shù)基本掌握在歐美企業(yè)手中，國內(nèi)企業(yè)大都處于產(chǎn)業(yè)低端，在同國外企業(yè)競爭中難占上風(fēng)。而且，一些領(lǐng)域同質(zhì)化競爭趨勢開始顯現(xiàn)，以次充好、惡意降價(jià)等擾亂市場秩序的現(xiàn)象更進(jìn)一步削弱了國內(nèi)企業(yè)的市場競爭能力，從而限制了國內(nèi)LED材料產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。

　　專利壁壘，國外企業(yè)技術(shù)封鎖

　　LED屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，日本和歐美地區(qū)技術(shù)實(shí)力最強(qiáng)，掌握著LED核心專利，引領(lǐng)最新技術(shù)的發(fā)展，占據(jù)著產(chǎn)業(yè)鏈和價(jià)值鏈的高端環(huán)節(jié)，從事高附加值產(chǎn)品的生產(chǎn)。國內(nèi)LED材料專利申請仍然主要集中在普通亮度或高亮度紅光以及綠光LED等技術(shù)相對成熟的產(chǎn)品領(lǐng)域，而超高亮度紅光、GaN基藍(lán)光、白光等技術(shù)門檻相對較高的產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)＠暾垟?shù)量仍然較少。國外企業(yè)利用專利壁壘，對其他地區(qū)進(jìn)行技術(shù)封鎖，保持其領(lǐng)先地位。

　　資本驅(qū)動，兩極化格局日益明顯

　　LED材料產(chǎn)業(yè)屬于資本密集型產(chǎn)業(yè)，投資強(qiáng)度大但見效慢，企業(yè)小，規(guī)模產(chǎn)能跟不上世界技術(shù)新的發(fā)展，企業(yè)只有不斷做大、做優(yōu)，才可能生存下來。2013年以來，LED材料企業(yè)市場兩極化格局日益明顯，擁有規(guī)模和技術(shù)優(yōu)勢的企業(yè)無疑勝算更大，LED材料行業(yè)龍頭企業(yè)紛紛加入新一輪的產(chǎn)能擴(kuò)張。

　　同時，LED材料產(chǎn)業(yè)兼并重組事件也不斷發(fā)生，三安光電入股璨圓光電、德豪潤達(dá)聯(lián)姻雷士照明、亞威朗光電重組、乾照光電控股東莞洲磊、圓融光電收購江西睿能，一場資本的“擂臺賽”愈演愈烈，LED材料企業(yè)對資本需求越來越多，數(shù)額也越來越大。

　　人才稀缺，需要實(shí)用型技術(shù)和管理人才

　　LED材料生產(chǎn)設(shè)備絕大部分從國外進(jìn)口，價(jià)格昂貴、操作復(fù)雜，維護(hù)費(fèi)用高，首先需要一支強(qiáng)有力的工程技術(shù)人才隊(duì)伍;其次，投資規(guī)模較大也使得市場渠道開拓、風(fēng)險(xiǎn)把控及內(nèi)部管理成為LED材料企業(yè)成敗的關(guān)鍵。我國科研機(jī)構(gòu)和高校產(chǎn)學(xué)研結(jié)合不夠，對LED材料產(chǎn)業(yè)實(shí)踐深入還不如企業(yè)的技術(shù)人員，缺少實(shí)用型技術(shù)和管理人才，在項(xiàng)目引進(jìn)以及項(xiàng)目投產(chǎn)后都面臨著人才稀缺的風(fēng)險(xiǎn)。

　　引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)高新技術(shù)發(fā)展

　　最近兩年，中國LED襯底和外延行業(yè)均經(jīng)歷了瘋狂擴(kuò)產(chǎn)期，盲目上項(xiàng)目、搶投資，對產(chǎn)業(yè)的高風(fēng)險(xiǎn)估計(jì)不足，結(jié)果產(chǎn)能嚴(yán)重過剩，產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下跌，政府、企業(yè)等投資方損失慘重。對此，行業(yè)主管部門應(yīng)保持清醒的頭腦，加強(qiáng)地區(qū)之間的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃和協(xié)調(diào)，實(shí)現(xiàn)全國一盤棋，統(tǒng)籌考慮，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同與互動，形成良好的創(chuàng)新氛圍，降低交通、物流和溝通成本。同時，政府應(yīng)設(shè)立襯底和芯片環(huán)節(jié)準(zhǔn)入門檻，嚴(yán)格限制盲目擴(kuò)產(chǎn)，防止新一輪產(chǎn)能過剩，避免投資失誤和浪費(fèi)，保障產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。

　　另外，LED材料技術(shù)在不斷升級和相互更迭，政府應(yīng)加強(qiáng)引導(dǎo)，避免繼續(xù)投資建設(shè)低端產(chǎn)品，將資金向國內(nèi)無法生產(chǎn)的配套高端材料、OLED核心技術(shù)產(chǎn)品、核心設(shè)備制備等發(fā)展前景好的方向引導(dǎo)，并注重基礎(chǔ)研究及工藝技術(shù)研發(fā)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的長期可持續(xù)發(fā)展。

　　資源傾斜，扶持龍頭企業(yè)發(fā)展

　　國際經(jīng)驗(yàn)表明，規(guī)模效應(yīng)是影響企業(yè)競爭力的重要因素，發(fā)展LED材料產(chǎn)業(yè)應(yīng)以做大企業(yè)規(guī)模、擴(kuò)大生產(chǎn)線數(shù)量和完善產(chǎn)業(yè)鏈為基礎(chǔ)。大企業(yè)通過對產(chǎn)業(yè)鏈的整合實(shí)現(xiàn)降低生產(chǎn)成本、縮短產(chǎn)品上市時間的目的，從而形成競爭優(yōu)勢。因此，國家應(yīng)進(jìn)一步加大對龍頭企業(yè)的扶持力度，支持關(guān)鍵裝備與材料的研發(fā)和國產(chǎn)化。

　　LED材料產(chǎn)業(yè)屬于資金和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，其發(fā)展必須借助資本市場，政府應(yīng)積極引導(dǎo)，并在企業(yè)融資方面給予大力支持。另外，存量資產(chǎn)、土地資源、優(yōu)勢原材料優(yōu)先滿足重大項(xiàng)目建設(shè)需要，閑置存量資產(chǎn)可以以參股或劃撥的方式注入，土地資源的相關(guān)費(fèi)用予以優(yōu)惠。加大財(cái)政對重大項(xiàng)目前期費(fèi)用的資金支持和改造貸款貼息的支持力度，資產(chǎn)擔(dān)保公司優(yōu)先為重大項(xiàng)目融資提供信用擔(dān)保。

　　因地制宜，堅(jiān)決實(shí)施差異化策略

　　地方政府在發(fā)展LED材料產(chǎn)業(yè)過程中，要根據(jù)本地的產(chǎn)業(yè)發(fā)展特色和實(shí)際情況，實(shí)施差異化策略。對于目前沒有相關(guān)LED材料產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的地區(qū)，應(yīng)該遵循“搶位發(fā)展”的發(fā)展思路，將AMOLED、SiC襯底材料、圖形化襯底等這些新興產(chǎn)品和技術(shù)作為發(fā)展定位;對于已經(jīng)具備一定產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的地區(qū)，重點(diǎn)要放在不斷延伸產(chǎn)業(yè)鏈、完善產(chǎn)業(yè)鏈布局、提升產(chǎn)業(yè)競爭力方面，形成產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展;對于擁有獨(dú)特區(qū)位優(yōu)勢的地區(qū)，可選擇“換位發(fā)展”的思路，鼓勵龍頭企業(yè)或者企業(yè)聯(lián)合開發(fā)新產(chǎn)品，如礦山地區(qū)的防爆LED、紫外醫(yī)用照明等新興特種應(yīng)用。

　　優(yōu)化服務(wù)，健全中介服務(wù)體系

　　充分發(fā)揮政府的組織、協(xié)調(diào)作用，搭建銀企資金供需洽談平臺，建立協(xié)調(diào)發(fā)展和良性互動的銀企關(guān)系，切實(shí)解決銀企雙方資金供需信息不對稱、貨幣政策傳導(dǎo)機(jī)制不順暢的問題。鼓勵企業(yè)通過資產(chǎn)重組、收購、兼并和境內(nèi)外上市加速擴(kuò)張。加強(qiáng)銀企之間的相互溝通，有效地引導(dǎo)金融機(jī)構(gòu)增加信貸資金投入。提升政府服務(wù)水平。切實(shí)加大跨部門協(xié)調(diào)服務(wù)力度，進(jìn)一步優(yōu)化服務(wù)工作流程，大力宣傳政策規(guī)劃，及時發(fā)布產(chǎn)業(yè)發(fā)展信息，加快項(xiàng)目審批進(jìn)度。及時協(xié)調(diào)解決生產(chǎn)經(jīng)營中存在的困難和問題，幫助企業(yè)渡過難關(guān)。

　　健全中介服務(wù)體系。大力發(fā)展技術(shù)評估、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)轉(zhuǎn)移、專利代理、科技信息、投融資、人才培養(yǎng)、法律服務(wù)等各類中介組織，積極搭建產(chǎn)業(yè)發(fā)展與交流平臺，促進(jìn)企業(yè)之間的交流與合作，形成完整的服務(wù)保障體系，為企業(yè)提供便捷高效的服務(wù)。

　　國際合作，提高本土企業(yè)技術(shù)能力

　　我國在LED基礎(chǔ)原材料與關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域基礎(chǔ)薄弱，LED材料企業(yè)，尤其是具備一定規(guī)模的大企業(yè)，應(yīng)與外商充分開展全方位合作，如以合資建廠、技術(shù)引進(jìn)、戰(zhàn)略合作等方式降低材料成本，保證關(guān)鍵材料供給。同時通過對核心技術(shù)的消化、吸收，積累自身的技術(shù)實(shí)力，完成自主創(chuàng)新。通過國家的科技專項(xiàng)進(jìn)行聯(lián)合攻關(guān)，突破上游關(guān)鍵材料和設(shè)備瓶頸，掌握發(fā)展主動權(quán)。

　　另外，鼓勵開展產(chǎn)學(xué)研合作，加強(qiáng)LED材料基礎(chǔ)及前瞻性研究，規(guī)劃產(chǎn)業(yè)的技術(shù)路線，搶占行業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)。加強(qiáng)對已有的專利進(jìn)行分析，規(guī)避技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)和專利陷阱。同時，企業(yè)之間、企業(yè)與研究機(jī)構(gòu)之間也可以抱團(tuán)取暖，通過核心技術(shù)專利與外圍應(yīng)用專利相搭配的方式，組建產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟專利池，增強(qiáng)與對手的談判博弈能力。

　　爭取政策，充分發(fā)揮融資功能

　　由于LED材料產(chǎn)業(yè)投資規(guī)模大，給企業(yè)帶來了很大的資金壓力，因此企業(yè)要充分借助產(chǎn)業(yè)本身的吸引力，進(jìn)一步整合資源，密切與金融機(jī)構(gòu)、投資人的關(guān)系，多渠道籌措平臺發(fā)展需要的資金。根據(jù)企業(yè)發(fā)展需要，通過資本市場進(jìn)行再融資;另外，可設(shè)立擔(dān)?；鸹蝻L(fēng)險(xiǎn)基金，為金融介入和企業(yè)高科技開發(fā)分擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)，調(diào)動金融業(yè)和企業(yè)發(fā)展封裝設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)的積極性，為企業(yè)技術(shù)水平的提高和產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大，提供有力的資金保障。

　　由于國家對LED材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展非常重視，會在政策和資金上對戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)給予一定的扶持。因此，要求企業(yè)在全面領(lǐng)會國家各項(xiàng)產(chǎn)業(yè)政策措施、用好現(xiàn)有政策的基礎(chǔ)上，積極爭取最大資金和政策支持力度;對于重大設(shè)備共性技術(shù)、基礎(chǔ)性技術(shù)和關(guān)鍵技術(shù)的攻關(guān)，設(shè)立專項(xiàng)資金，以專項(xiàng)計(jì)劃的形式，集中優(yōu)秀人才和有效資源，組織攻關(guān)。